过去行业里一直有个共识，浸润式DUV光刻机只能做到7nm芯片，再往下5nm、3nm，还得靠EUV光刻机才行。即便是台积电的初代7nm，也是用DUV多次曝光做出来的，到了第二代7nm就直接用了EUV。毕竟用DUV做7nm，工序绕很多弯，生产时间长，良率又低，成本还高得吓人，这显然不是长久之计。用DUV硬做5nm、3nm，理论上不是完全不可能，但实际操作中，谁也不敢这么干。需要曝光次数多到数不过来，生产难度翻倍，良率低到几乎没用，成本高得大厂都承受不起，就算勉强做出几颗样品，也根本没办法量产商用。
这也是美国当初敢禁售EUV的原因，他们觉得就算我们用DUV硬啃，也造不出有性价比的先进芯片，根本威胁不到他们的主导地位。但美国没想到，我们根本没按他们设想的路线走。华为花了6年，靠381颗芯片量产积累的经验，总结出了一套完全不同的“韬定律”。以前行业里默认的先进路线，就是靠EUV光刻机把晶体管越做越小，靠物理尺寸缩小来提升性能。但华为直接换了思路：既然没有EUV，晶体管缩不下去，那就从底层器件到顶层系统全链路优化，把每一段信号传输、数据处理的时间都降到最短，靠提升整体效率来追赶先进制程的性能。
华为还推出了“逻辑折叠”技术，把原本平铺的晶体管改成立体堆叠排列，不用缩小尺寸，也能提高单位面积里的晶体管密度，最终达到EUV制程一样的性能提升效果。按照华为的规划，2026年旗舰机搭载的麒麟2026芯片，不用EUV光刻机，性能就能达到行业里用EUV做出来的3nm芯片的水准。到2031年，完全不依赖EUV，晶体管密度就能超过400MTr/mm²，追平当下用EUV实现的1.4nm制程水平。这一下直接把过去几十年芯片行业的固定路线给打破了。原来大家都挤在“靠EUV缩晶体管”这一条路上，现在硬生生开辟出另一条完全不同的路。
美国本来想靠卡住EUV光刻机，把我们挡在先进芯片门外，结果反而逼我们跳出他们预设的技术框架，走出了一条完全自主的先进芯片路线。现在没人敢保证这条路线一定一帆风顺，但至少我们已经证明了，先进芯片不是只有EUV这一条路可走。
