7月7日这天，A股存储芯片受外围市场牵连出现回调，不过上游半导体的设备和材料、硅片概念却呈现出强势上涨的态势。

截止到10:05的时候，有研硅片以20cm涨停的亮眼表现，有研新材也实现了10cm涨停，上海合晶的涨幅高达12.85%，沪硅产业的涨幅超过了8%，寒武纪、芯源微、立昂微和海光信息的涨幅都超过了4%，中芯国际、盛美上海、江丰电子等股票的涨幅也超过了3%。半导体设备ETF招商（561980）在盘中逆势上涨了1.58%，连续两个交易日净流入高达1.32亿元，最近10个交易日累计吸纳资金超过22亿元，基金规模达到了71.22亿元。

在消息层面，财通证券透露，今年5月中上旬，全球硅片行业的领军企业信越化学、SUMCO以及环球晶圆实施了年内第二轮提价动作，其中12英寸的常规硅片价格上调了5%到8%，而适配AI/HPC场景的高端专用硅片涨幅更是达到了18%到22%，年内两轮提价的累计涨幅超过了15%。

一、【三星财报数据不及预期，美日韩存储芯片集体下挫】

放眼外围市场，三星财报公布之后，日韩股市开盘表现不佳，韩国KOSPI指数大幅度下跌超过4%，三星电子开盘后继续下挫，最终跌幅超过7%，SK海力士同样下跌超过6%；日经225指数也出现了0.84%的跌幅。美股市场上的存储芯片股在盘后交易中全面下跌，闪迪的跌幅超过了2%，美光科技、西部数据和希捷科技的跌幅也都超过了1%。

市场上的普遍看法是，海内外存储芯片的深度回调主要归因于三星财报带来的影响。

就在7月7日的早晨，三星电子发布了第二季度的业绩预告，预计该季度销售额将达到171.00万亿韩元，相比去年同期增长129%；营业利润预估为89.40万亿韩元，同比增长1810%。

依据伦敦证券交易所集团（LSEG）统计的分析师们的预测，三星Q2的营业利润大约在86万亿韩元左右，不过也有部分券商预测能够达到90万亿韩元，基于这些信息，市场普遍解读为三星的财报表现未达到预期。

从财报内容上进行解析，三星展望2026年全年的营业利润将达到约300万亿韩元（约合2000亿美元），这一数字将会超越公司进入半导体领域40年来的累计利润总和，并且这是三星连续第三个季度打破自身单季度营业利润的历史最高纪录。

若进行简单的换算，能够得出三星第二季度平均每天的净盈利达到9824亿韩元，折合人民币大约为43.6亿元。现阶段，三星正致力于推动第三季度DRAM价格上调高达20%，这一举动延续了一季度增长90%、二季度预计增长50-60%的强劲趋势，这也反映了公司对于持续短缺状态和盈利能力的坚定信心。

财报中透露的盈利能力以及对市场的信心，得到了内存价格增长的直接印证。花旗研究在上一周的报告中指出，Q2DRAM和NAND的平均售价环比分别提升了44%和53%。野村证券在近期的分析报告里预测，受消费类存储产品以及传统和AI数据中心芯片需求增长的推动，Q3大宗DRAM价格将环比上涨24%，NAND价格也将上涨25%。

这场内存方面的历史性涨价直接带动了三家核心内存制造商的股价上扬。自今年年初以来，三星电子、SK海力士和美光科技的股价分别实现了158%、273%和242%的大幅增长，这三家公司的市值都已经超过了1万亿美元。

图：全球存储市场季度规模变化（亿美元）

二、【全球存储领域积极增加产能，上游各类设备需求呈现出热络景象】

在此期间，韩国存储器件厂商正着手实施大规模的扩产方案，三星和SK海力士合计的投资额大约为4755万亿韩元（折合超过3万亿美元）。

根据国泰海通的数据，6月29日，三星电子宣布了一项长达10-15年的、总额高达4755万亿韩元（约合3万亿美元）的跨越世纪的投资计划，这些投资中的绝大部分将集中在半导体相关领域，例如平泽、龙仁半导体的聚集区、光州的新半导体fab以及西南部的新fab等。

SK集团也透露，将推进总规模达到1100万亿韩元的半导体投资方案，原计划于2045年完成的龙仁半导体集群建设将提前12年实施，并且会加速DRAM和NAND的扩产步伐。在这些计划中，龙仁项目的投资额约为600万亿韩元，清州NAND扩产的投资额约为100万亿韩元，西南地区新建半导体集群的投资额约为400万亿韩元，这些举措都是为了应对AI技术推动的存储芯片需求增长。

除此之外，美光公司同样投入了90亿美元用于扩建位于日本西部的芯片工厂。根据美光财报显示，美光26FYQ4的资本支出约为100亿美元，预计26FY全年的资本支出情况为