7月27日，长鑫科技正式登陆上海证券交易所科创板。每股发行价定在8.66元，开盘即飙至49.50元，收盘价定格在49元，首日涨幅高达465.82%。以收盘价核算，公司总市值约3.28万亿元，一举超越工商银行，登顶A股市值榜首。全天成交额突破1400亿元，换手率超过60%。
这一表现，堪称近年来中国资本市场新股首秀中的焦点之作。长鑫此次IPO募资约579亿元；若触发15%的超额配售选择权，募资上限可达约666亿元。无论采用哪种统计口径，这皆是科创板自开板以来规模最大的首次公开募股。
上市当日，创始人朱一明的个人财富随之水涨船高。同时，他此前的一项承诺再度进入公众视野：将其持有的员工持股平台份额中50%，折合约7.68亿股，在公司上市满36个月后的十个自然年度内，分配给长鑫及并表子公司的在职员工。依据上市首日收盘价静态测算，这部分股份对应的市值逾370亿元。
这项长达十年的激励计划，与首日股价的暴涨形成强烈反差：资本市场能在一天之内将一家公司的估值推高至3万亿元以上，但DRAM工艺、良率以及人才梯队的搭建，却必须以年为单位缓慢累积。
市场对长鑫的定价逻辑，并不局限于一家存储芯片企业当下的利润水平，更蕴含了对人工智能浪潮、半导体国产化进程以及全球内存短缺预期的多重博弈。
面对被资本热捧的长鑫科技，理性审视显得尤为必要。根据长鑫上市公告书披露，在超额配售选择权行使前，公司上市初期的无限售流通股约为45.03亿股，仅占发行后总股本的6.73%；其余约93.27%的股份均带有不同期限的流通限制或限售安排。
较小的流通盘、国产DRAM标的的稀缺性，加上资金对AI产业链的集中追捧，这些因素叠加，极易放大股价波动。
更引人深思的是长鑫业绩变化的迅猛程度。2023年和2024年，公司仍分别录得163.40亿元和71.45亿元的亏损，直到2025年才实现扭亏为盈。然而进入2026年，其盈利能力在一个季度内发生了剧烈转折。
这究竟意味着一家全球存储巨头开始兑现成长红利，还是内存价格高位运行下的一次周期性利润爆发？
一个季度，赚回多年积累
长鑫的故事，根植于十年前的一次地方产业豪赌。
2016年5月，兆易创新创始人兼时任董事长兼总经理朱一明与合肥方面洽谈建设DRAM项目，该项目后来以日期命名，代号为“506工程”。次年，兆易创新与合肥产投签署合作协议，将项目预算锁定在约180亿元，双方分别承担20%和80%的资金筹集责任。
彼时，三星电子、SK海力士和美光垄断了全球绝大部分DRAM市场，中国大陆缺乏规模化DRAM制造能力。合肥投入的对象，并非一家拥有成熟产品和稳定现金流的企业，而是一条尚未完成技术验证的生产线。
DRAM是半导体行业中资本密集度最高、工艺控制最复杂的品类之一。设计出一颗能运行的芯片仅是起点，真正的商业成败取决于能否以足够高的良率，在数以万计的晶圆上稳定复制。
长鑫早期的技术根基，可追溯至一家已消失的德国企业。
奇梦达曾是全球主要DRAM厂商之一，因存储芯片价格下跌及金融危机冲击，于2009年破产。朱一明曾公开透露，长鑫通过相关合作获取了超过1000万份DRAM技术文件及约2.8TB数据，并以此为基础进行研发迭代。
此外，长鑫与WiLAN旗下Polaris签订专利许可及采购协议，涵盖奇梦达开发的部分DRAM专利。奇梦达采用的埋入式字线技术与当时三星、美光等厂商的部分路线存在差异，这为长鑫提供了一条清晰可追溯的技术和知识产权起点。
一家在德国破产十年的存储芯片企业，由此成为中国第一条规模化DRAM生产线的技术源头之一。但技术文件无法直接转化为商品，长鑫仍需重建设计、制造和测试体系，并将奇梦达较早期的工艺向更先进节点推进。
2018年7月，长鑫完成验证投片；2019年9月，首款8Gb DDR4产品实现量产。从“506工程”启动到首款产品量产，历时约三年。
随后几年，公司陷入持续扩产、研发和亏损的循环。2023年，长鑫实现营业收入90.87亿元，归母净亏损163.40亿元；2024年收入增至241.78亿元，归母净亏损收窄至71.45亿元；2025年收入进一步攀升至617.99亿元，归母净利润转正至18.75亿元。
到了2026年第一季度，公司营业收入达到508亿元，同比增长719.13%；合并口径净利润为330.12亿元，归母净利润为247.62亿元，扣非归母净利润为263.41亿元。
这意味着，长鑫单季取得的归母净利润，已超过2023年和2024年的亏损总和，更是2025年全年归母净利润的13倍以上。
公司预计，2026年上半年营业收入将达1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润预计为500亿至570亿元，同比增长超22倍。
如此陡峭的财务反转，既源于收入增长，也得益于存储芯片企业特有的经营杠杆效应。
晶圆厂的设备、厂房和研发投入多属固定成本。生产线投产初期，若良率不足，可售合格芯片有限，单位产品需承担较高折旧和制造成本；当良率和产能利用率提升，同一片晶圆切割出的合格芯片增加，单位成本便会迅速下降。
2025年有消息指出，长鑫DDR5量产进度一度受良率和产品一致性问题制约，相关产线良率当时仅略高于50%。
至2026年，长鑫的财务数据显示，其产能利用率、产品组合和制造效率已有明显改善。公司主营业务毛利率由2023年的-2.19%升至2024年的5%，2025年进一步跃升至41.02%。
但良率和规模效应仅为前提。长鑫在招股书中表示，2026年业绩大幅增长主要归因于三项因素：DRAM产品价格持续快速上涨、公司产销规模扩大，以及产品结构优化。其中，价格被列为首要因素。
公司未进一步披露2026年一季度收入增量中，售价、销量和产品结构的具体贡献比例。这组数据将直接影响外界对其利润质量的判断。若盈利主要来自出货量增长、良率改善和单位成本下降，增长的持续性相对较强；若大部分利润源自产品价格上涨，业绩则会对行业周期更为敏感。
对于一家固定资产规模庞大、折旧费用较高的存储公司而言，价格上涨能迅速释放利润，价格下跌也可能以同样方式反向作用。
AI红利，先以涨价形式抵达长鑫
AI需求正在重塑全球存储芯片的产能格局。
大型模型训练和推理需要大量高带宽内存（HBM），同时也依赖海量服务器DRAM。三星、SK海力士和美光等主要厂商因此将更多先进制程和晶圆产能转向HBM及服务器产品。
HBM生产不仅技术要求更高，对晶圆面积的消耗也显著大于普通DRAM。TrendForce预计，三大存储芯片厂商的HBM投片量占整体DRAM投片量的比例，将由2025年末的18%升至2026年末的22%，2027年末可能接近30%。
当产能流向利润更高的HBM产品，PC、智能手机和其他消费电子产品使用的普通DRAM供给随之受到挤压。长鑫虽尚未成为全球HBM市场的主要供应商，却从普通DRAM短缺和涨价中获得了直接收益。
TrendForce数据显示，2026年第一季度，DRAM合约价格实际环比上涨93%—98%，推动全球DRAM产业营收环比增长81%至970亿美元。进入第三季度，供给紧张仍未缓解，但涨价速度明显放缓。TrendForce最新预计，第三季度一般型DRAM合约价将环比上涨13%—18%。
这是理解长鑫盈利爆发的关键背景。AI确实推动了公司业绩，但这份红利目前主要通过DRAM涨价兑现，而非长鑫直接向全球AI芯片厂商大规模供应HBM。
长鑫现阶段的产品收入仍高度集中于DRAM。根据招股书相关数据，2025年约66.4%的收入来自LPDDR产品，DDR产品约占31.9%，两者合计贡献绝大部分收入。HBM尚未成为具有实质规模的收入来源。
不过，全球内存短缺正在改变客户选择供应商的方式。
6月底，据报道，长鑫与腾讯签署了一份价值超过200亿元的长期服务器DRAM供应协议，协议期限可能为三至五年。随后长鑫又被报道与字节跳动达成为期五年、价值超过70亿美元的内存供应协议。长鑫招股书还将阿里云、联想、小米、传音、荣耀、OPPO和vivo等列为重要客户。这也证明，在全球内存供应紧张之际，中国大型互联网企业正通过长期合同锁定长鑫的产能。
苹果的态度更具标志性。面对内存价格上涨和供应趋紧，据报苹果开始测试长鑫的DRAM产品，并就潜在采购所涉及的政策风险寻求美国政府的确定性。截至目前，双方尚未宣布正式采购协议，但测试本身意味着长鑫已进入全球消费电子客户的供应商评估范围。
对大型客户而言，增加长鑫并不一定意味着立即替代三星、SK海力士或美光，更现实的考量是引入第四家供应商，以降低价格上涨和供应中断风险。这些客户关系表明，长鑫已不再仅依靠政策扶持和国产替代概念获取订单，而是逐步进入消费电子和数据中心的实际供应链。
但从通用DRAM供应商迈入高端HBM市场，仍需跨越工艺、良率、先进封装和客户认证等多重门槛。长鑫被视为中国最有可能形成先进HBM能力的企业之一，但其HBM产能、量产良率和验证进度仍缺乏充分公开数据。
截至目前，HBM更接近长鑫估值中的一张未来门票，而非支撑当前利润的主力产品。
涨价仍未结束，周期拐点已现
此刻断言DRAM周期已经见顶，证据尚不充分。
全球市场依然供不应求，大型CSP厂商正通过长期协议锁定货源，AI基础设施投资也未出现明显退潮。但价格变化的边际趋势已然不同。价格仍在上涨，只是涨价速度明显放缓。
高价格也开始反向抑制需求。TrendForce称，PC和智能手机等消费端客户的价格承受力已接近极限。随着高成本内存逐步反映到整机价格，部分厂商开始削减配置或下调出货预期。现货市场中，一些买方也不愿继续追高。
存储芯片行业长期具备大宗商品属性。需求回升、库存下降和供给紧张会推动价格上涨，高价格和高利润又会刺激厂商扩大投资。由于晶圆厂建设和产能爬坡存在时间差，当新增产能集中释放时，终端需求可能已经减弱，市场便可能从短缺转向过剩。
长鑫此次上市，恰好处于这一链条的扩张环节。
公司最初计划募集295亿元，三个募投项目总投资345亿元。其中，75亿元用于存储器晶圆制造量产线升级改造，130亿元用于DRAM技术升级，90亿元用于前瞻技术研发。最终实际募集资金约579亿元，明显超过原定募投项目的资金需求。
对于长鑫而言，扩产是缩小与国际厂商差距的必要条件。Counterpoint数据显示，2026年第一季度，长鑫按销售额计算的全球DRAM市场份额约为8%，排名第四；三星、SK海力士和美光分别占38%、29%和22%，三家合计仍控制约89%的市场。
如果不能继续扩大产能，长鑫很难进一步降低单位成本，也难以支撑持续的研发投入。与此同时，三星、SK海力士和美光也在扩大HBM与服务器内存投资。
当前的供给短缺，正在推动几乎所有主要厂商增加资本支出，这也是存储周期中最值得警惕的阶段之一。
长鑫也在招股书中提示，如果AI投资放缓，或竞争对手增加过多供应，DRAM市场可能转弱。公司未来还将面临新产能带来的折旧和摊销压力，如果价格下跌与折旧上升同时发生，利润降幅可能显著超过收入降幅。
因此，更准确的判断并非周期已经见顶，而是长鑫上市时，DRAM仍处于上涨周期，只是价格上涨最快的阶段可能正在过去，下一轮供需平衡的风险已经进入投资者视野。
资本押注的是一次跨越周期的升级
长鑫与普通周期公司的差别，在于它拥有一条结构性增长路径，这条路经完美地命中了投资者青睐的资本叙事。
中国是全球最大的电子产品生产和消费市场之一，手机、电脑、服务器、汽车和云计算企业形成了庞大的内存需求。供应链安全要求提高后，国内客户选择长鑫，不再只考虑短期价格，也会考量供货稳定性和国产化比例。
美国的出口管制产生了双重影响。一方面，长鑫获得先进半导体设备和相关技术的难度增加，制程升级、良率改善和HBM量产可能因此受限；另一方面，外部限制也促使更多国内资本、客户和产业资源向本土供应商集中。
上市为长鑫提供的另一项关键助力，是锁定人才。
DRAM制造并不依赖某一个决定性的技术突破，而是一套包含设计、材料、设备、工艺、测试和良率管理的复杂系统。工艺参数的细微变化，都可能影响一批晶圆的合格率。设备可以买入，厂房可以建设，但能够持续解决产线问题的工程师团队需要多年积累。
截至2025年末，长鑫共有员工1.93万人，其中研发人员6259人，占比32.43%。2023年至2025年，公司研发投入分别约为46.70亿元、63.41亿元和95.93亿元，三年累计超过206亿元。
在全球存储行业，人才竞争与产品竞争几乎同步进行。三星和SK海力士长期通过利润分成和高额奖金稳定核心工程师团队。对于仍处于技术追赶阶段的长鑫而言，国内半导体企业的挖角力度，可能比国际企业要大得多。
朱一明承诺分配的7.68亿股，正是在这一背景下设计的。在此之前，长鑫已实施两期员工持股计划：第一期自2021年起实施，累计授予3596人次；第二期自2023年起实施，累计授予3164人次。上市首日形成的财富效应不会立即转化为奖金，而是被设计成一项长期留任机制。
但3.28万亿元的首日市值，已经把相当一部分未来增长提前计入价格。市场押注的不只是DRAM价格继续上涨，还包括长鑫能够提高全球市场份额、进入高端服务器内存和HBM市场，并在美国技术限制下维持工艺迭代。
这些目标目前尚未全部得到验证，但行业对此的乐观程度，比长鑫科技本身还要笃定。
长鑫需要证明，其产品良率和单位成本可以持续接近国际厂商，扩产形成的收入能够覆盖新增折旧，国产替代需求足以缓冲全球DRAM价格波动，正在研发的HBM产品能够完成规模量产和客户认证。
若这些条件成立，2026年的涨价周期可能成为长鑫完成技术和规模跃迁的窗口；若高利润主要来自普通DRAM价格上涨，而高端产品进展慢于市场预期，那么当下的估值反映的可能更多是稀缺性和市场情绪。
十年前，合肥用约180亿元押注一条尚未量产的DRAM生产线；十年后，资本市场用超过3万亿元的市值，押注长鑫能够从全球第四名继续向前。
长鑫无疑赶上了AI风口，但它目前兑现的，首先是AI引发的内存产能重分配和DRAM涨价红利。
对公司而言，上市不是周期问题的终点，而是新一轮资本开支和人才竞争的起点。决定其长期价值的，不是DRAM价格今年还能上涨多少，而是长鑫能否在下一轮价格回落之前，把当前获得的利润、资金和人才，转化为更高的良率、更低的成本，以及真正能够进入AI核心供应链的产品。
只有经历下一轮内存价格下跌，市场才能更清楚地判断，长鑫究竟是一家被周期托起的公司，还是一家借助周期完成跃迁的全球芯片企业。
